IGBT

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    中微半导体与国内知名FAB合作开发的600V-1350V IGBT产品系列,广泛应用于电机和消费类领域。在正向和阻断状态下,我们的IGBT功率损耗极低,仅需低驱动功率便可发挥高效率。

    中微半导体IGBT产品具备国际领先的单芯片集成RC技术,更大的安全工作区(SOA),更强的抗冲击能力,更足额的耐压余量,极低的开关损耗,1000H HTGB/HTRB可靠性测试。产品非常适合用于新能源汽车、白色家电、电磁炉、马达驱动、UPS、焊机等新能源应用。IGBT产品系列击穿电压有足够的冗余,各种参数一致性高,短路电流能力出色。

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    型号 封装形式 VCE(V) VGE(±V) IC(100℃)(A) VCESAT(V)TYP.@IC,15V VF(V)TYP.@IC VGEth(V)
    CMS007G060DP3C TO-252 600 5.5 7 1.5 1.5 5.5
    CMS007G060T63B TO-263 600 5.5 7 1.5 1.5 5.5
    CMS007G060T2FA TO-220F 600 5.5 7 1.5 1.5 5.5
    CMS015G060T63A TO-263 600 5.5 15 1.8 1.5 5.5
    CMS015G060T2FA TO-220F 600 5.5 15 1.7 1.5 5.5
    CMS020G060T63B TO-263 600 5.5 20 1.5 1.6 5.5
    CMS020G060T2FA TO-220F 600 5.5 20 1.5 1.6 5.5
    CMS020G060T47A TO-247 600 5.5 20 1.5 1.6 5.5
    CMS030G060T47B TO-247 600 5.5 30 1.7 1.8 5.5
    CMS030G060T3FA TO-3PF 600 5.5 30 1.7 1.6 5.5
    CMS040G060T47A TO-247 600 5.5 40 1.5 1.6 5.5
    CMS040G060T3FA TO-3PF 600 5.5 40 1.5 1.6 5.5
    CMSG50N60CA TO-247 600 5.5 50 1.75 1.45 5.5
    CMS050G060T47A TO-247 600 5.5 50 1.3 1.6 5.5
    CMS015G120T3PA TO-3PN 1200 5.5 15 1.7 1.6 5.5
    CMSG025N120CB TO-247 1200 5.8 25 1.95 2.4 5.8
    CMS020G135T3PA TO-3PN 1350 5.5 20 1.9 1.9 5.5
    CMS025G135T3PB TO-3PN 1350 6.2 25 1.85 1.8 6.2

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