中微半导体根据不同电机应用需求,匹配各种IGBT以及MOSFET,推出高度可靠的驱动器,确保在各种方案应用中,IGBT或者MOSFET保持最佳工作状态,实现最佳的整机效率。
名称 | 版本 | 描述 | 下载 |
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V1.0.1 |
30V三相PN栅极驱动,内置78L05 |
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V1.3 |
36V三相PN栅极驱动,内置5V/60mA LDO |
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V1.0 |
多路对地开关,驱动端耐压35V |
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V1.2 |
100V单相双N栅极驱动,内置死区时间、直通防止、VCC欠压保护 |
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V1.20 |
集成MOSFET前置驱动和三相半桥MOS,输出电流2A@12V |
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V1.11 |
600V单相双N栅极驱动,内置死区时间、直通防止、VCC和VBS欠压保护 |
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V1.4.1 |
200V三相双N栅极驱动,内置死区时间、直通防止、VCC和VBS欠压保护 |
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V1.0 |
介绍了CMS6971B鼎盛娱乐城最新网址、管脚分布、系统框图、性能指标、典型应用电路图、封装信息等 |
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V1.0 |
180V三相双N栅极驱动,内置死区时间、直通防止、VCC和VBS欠压保护 |
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V1.0.0 |
介绍了CMS6164D鼎盛娱乐城最新网址、管脚分布、系统框图、性能指标、典型应用电路图、封装信息等 |
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V1.0.0 |
介绍了CMS6401鼎盛娱乐城最新网址、管脚分布、系统框图、性能指标、典型应用电路图、封装信息等 |
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V1.0.0 |
介绍了CMS6971C鼎盛娱乐城最新网址、管脚分布、系统框图、性能指标、典型应用电路图、封装信息等 |
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